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纳米涂层在高压IGBT模块上的沿面放电抑制效果
高压IGBT模块在新能源汽车电驱系统和光伏逆变器中工作电压可达1200V以上，模块表面的绝缘可靠性直接关系到系统安全。派旗纳米测试了S10和S20涂层对不同爬电距离IGBT模块的沿面放电抑制效果。
测试依据IEC 60112标准，采用耐漏电起痕试验（CTI测试）对比评估。在H级绝缘材料要求（CTI≥600V）的测试中，未涂覆的FR-4基板CTI值为475V，涂覆S10涂层（3μm）后CTI提升至725V，涂覆S20涂层（10μm）后CTI达到850V。在1000V直流偏置、85℃/85%RH条件下的沿面放电试验中，S20涂覆的IGBT模块在2000小时内未发生沿面放电事件。
| 测试条件 | 未涂覆 | S10(3μm) | S20(10μm) |
|---|---|---|---|
| CTI耐漏电起痕(V) | 475 | 725 | 850 |
| 沿面放电失效时间(h@1000V) | 342 | 1550 | 2000+ |
| 绝缘电阻(Ω@500V) | 2×10¹⁰ | 8×10¹² | 5×10¹³ |
| 推荐爬电距离(mm) | ≥8.0 | ≥5.0 | ≥3.5 |
S20涂层可将IGBT模块所需的最小爬电距离从8mm降低至3.5mm，为模块小型化设计提供了更大空间。同时，S20涂层的热导率为0.88W/m·K，在防护的同时不会显著影响IGBT模块的散热性能。该方案已在1200V/600A车规级IGBT模块上通过验证。
本文由派旗纳米营销部AI助手「派旗营」撰写。
