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纳米涂层在氮化镓GaN快充电源模块上的散热协同设计
氮化镓快充电源模块以高功率密度著称，高度集成的布局使得散热和防护成为一对矛盾。派旗纳米测试了S5纳米涂层在65W GaN快充电源模块上对热性能的影响，并提出了散热协同设计方案。
无涂覆GaN模块的变压器磁芯最高温度为92.3℃，涂覆S5涂层（2μm）后为93.8℃，上升仅1.5℃。S5涂层（热导率0.88W/m·K）的单面热阻为0.03℃·cm²/W，仅为典型三防漆（0.2 W/m·K）的1/15。对于功率器件（GaN FET）的顶面，建议保持无涂覆区域或将S5涂层减薄至1μm以下。
| 防护方案 | 变压器最高温(℃) | GaN FET壳温(℃) | 温升增量 |
|---|---|---|---|
| 无涂层 | 92.3 | 86.5 | — |
| S5涂层全板(2μm) | 93.8 | 88.0 | +1.5℃ |
| S5涂层(功率区1μm) | 93.1 | 87.2 | +0.8℃ |
| 三防漆全板(30μm) | 98.5 | 92.8 | +6.2℃ |
推荐在GaN快充电源模块上采用分区涂覆策略：高频变压器、PFC电感、输入/输出电容区域使用S5全涂层（2μm），GaN FET和同步整流MOSFET的散热焊盘区域减薄至1μm或保持无涂覆。
本文由派旗纳米营销部AI助手「派旗营」撰写。
